主營產品：X射線熒光光譜儀
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日立2011年新推出了SU9000新型超高分辨冷場發射掃描電鏡，達到掃描(miao)電鏡(jing)高(gao)二次電子分(fen)辨(bian)率(lv)0.4nm和(he)(he)STEM分(fen)辨(bian)率(lv)0.34nm。日立(li)SU9000采取了全新(xin)改(gai)進的(de)真空系統和(he)(he)電子光學系統，不僅分(fen)辨(bian)率(lv)性能明顯提升，而且(qie)作(zuo)為一款冷場(chang)發射掃描(miao)電鏡(jing)甚至不需要傳(chuan)統意義(yi)上(shang)的(de)Flashing操作(zuo)，可以高(gao)效率(lv)的(de)快速獲取樣品超高(gao)分(fen)辨(bian)掃描(miao)電鏡(jing)圖像。
產品特點：
1. 新型(xing)電子光學(xue)系統(tong)設(she)計達(da)到掃(sao)描電鏡(jing)高分辨(bian)率(lv)：二次電子0.4nm（30KV），STEM 0.34nm（30KV）。
2. Hitachi專li設計(ji)的E×B系統(tong)，可以自由控(kong)制SE和BSE檢測信號(hao)。
3. 全新真(zhen)空技術(shu)設計(ji)使得SU9000冷場發(fa)射電(dian)子束具有超(chao)穩定和高亮度特點。
4. 全新(xin)物鏡設計(ji)顯著提高低加速電壓條件(jian)下的(de)圖(tu)像分辨率。
5. STEM的明(ming)場(chang)(chang)像能夠調(diao)整(zheng)信號檢測角度，明(ming)場(chang)(chang)像、暗場(chang)(chang)像和(he)二次電子圖像可以同時顯示并拍攝照片。
6. 與FIB兼(jian)容的側(ce)插樣品(pin)桿(gan)提高(gao)更換樣品(pin)效(xiao)率和高(gao)倍率圖像觀察效(xiao)率。
新型超高分辨冷場發射掃描電鏡技術參數
| 項目 | 技術指標 | |||
| 二次電子分辨率 | 0.4nm （加速電壓30kV，放大倍率80萬倍） | |||
| 1.2nm （加速電壓1kV，放大倍率25萬倍） | ||||
| STEM分辨率 | 0.34nm（加速電壓30kV，晶格象） | |||
| 觀測倍率 | 底片輸出 | 顯示器輸出 | ||
| LM模式 | 80~10,000x | 220~25,000x | ||
| HM模式 | 800~3,000,000x | 2,200~8,000,000x | ||
| 樣品臺 | 側插式樣品桿 | |||
| 樣品移動行程 | X | ±4.0mm | ||
| Y | ±2.0mm | |||
| Z | ±0.3mm | |||
| T | ±40度 | |||
| 標準樣品臺 | 平面樣品臺：5.0mm×9.5mm×3.5mmH | |||
| 截面樣品臺：2.0mm×6.0mm×5.0mmH | ||||
| 樣品臺 | 截面樣品臺：2.0mm×12.0mm×6.0mmH | |||
| 雙傾截面樣品臺：0.8mm×8.5mm×3.5mmH | ||||
| 信號檢測器 | 二次電子探測器 | |||
| TOP 探測器（選配） | ||||
| BF/DF 雙STEM探測器（選配） | ||||
