HITACHI SU-8010高分辨場發射掃描電鏡包括SU-8010主機和(he)E-1045噴(pen)(pen)鉑噴(pen)(pen)碳裝置,并配備有EDAX X射線能譜儀。加速(su)電(dian)壓(ya)為(wei)15kV時,分(fen)辨率為(wei)1.0nm,加速(su)電(dian)壓(ya)為(wei)1kV時,分(fen)辨率為(wei)1.3nm。
日立2005年在中國推出了S-4800型高分辨場發射掃描電鏡,由(you)于(yu)出色的應用(yong)性能、良好的穩定性和(he)簡易的維護,收到了(le)各界用(yong)戶的*。
日(ri)立2011年新推出了它的(de)(de)后續機型----SU8010,它繼承(cheng)了S-4800的(de)(de)優點,性能有進(jin)一步(bu)提高,1kv使用減(jian)速功能后,分辨(bian)率提升到(dao)1.3nm,相對于S-4800可以(yi)在更(geng)低的(de)(de)加速電(dian)壓下呈高分辨(bian)像,明顯提升了以(yi)往很(hen)難觀(guan)測(ce)的(de)(de)低原子(zi)序數(shu)樣品的(de)(de)觀(guan)測(ce)效果。
產品特點:
1. 低加速電壓成像能力,1kv分辨率可達1.3nm
2. 日立專li的ExB設(she)計,不(bu)需噴鍍,可以(yi)直(zhi)接(jie)觀(guan)測(ce)不(bu)導電樣品
3. Upper探(tan)頭可選擇接受(shou)二次電(dian)子像(xiang)或背散射電(dian)子像(xiang)
4. 可以(yi)根據樣(yang)品類型和觀測要(yao)求選擇(ze)打開或關閉減(jian)速(su)功能(neng)
5. 標配有冷指(zhi)、電子(zi)槍內置(zhi)加熱器,物鏡光闌具有自(zi)清潔功能
6. 儀器的烘(hong)烤維護及(ji)烘(hong)烤后的透鏡機械對中均可(ke)由(you)用戶自(zi)行(xing)完成
主要用途:
掃描電鏡(SEM)可觀察(cha)(cha)(cha)納(na)米材料(liao)(liao)、材料(liao)(liao)斷口(kou)的分析、觀察(cha)(cha)(cha)原始(shi)表面、觀察(cha)(cha)(cha)區域細(xi)節、顯微結構分析等。
X射線能譜(pu)儀可進行成(cheng)分(fen)(fen)的常規微區分(fen)(fen)析:元素定(ding)量、定(ding)性成(cheng)分(fen)(fen)分(fen)(fen)析,實時(shi)微區成(cheng)分(fen)(fen)分(fen)(fen)析,快速的多元素面(mian)掃描和線掃描分(fen)(fen)布測量。分(fen)(fen)析范圍Be4~U92。
已廣泛應用于材(cai)料(liao)(liao)科學、金屬(shu)材(cai)料(liao)(liao)、陶(tao)瓷材(cai)料(liao)(liao)半導體材(cai)料(liao)(liao)、化學材(cai)料(liao)(liao)、醫藥科學以及(ji)生物等領(ling)域。
二次電子分辨率 | 1.0nm(加速電壓15kV、WD=4mm) | |
1.3nm(加速電壓1kV、WD=1.5mm) | ||
加速電壓 | 0.1~30kV | |
觀測倍率 | 20~8000,000(底片輸出) | |
60~2,000,000(顯示器輸出) | ||
樣品臺 | ||
馬達驅動 | 3軸馬達 | |
5軸(選配) | ||
行程 | X | 0~50mm |
Y | 0~50mm | |
Z | 360° | |
T | -5~70° | |
R | 1.5~30mm | |
zui大裝載尺寸 | 100mm(zui大) | |
150mm(選配) | ||
探頭 | ||
標配 | Lower | 高立體感圖像 |
Upper | 高分辨SE、BSE圖像 | |
選配 | STEM | 明場像、暗場像 |
YAG 探頭 | BSE圖像 | |
半導體探頭 | BSE圖像 | |
EBIC | 電子束感生電流圖像 | |
EDS | 元素分析 | |
反污染措施 | ||
冷指 | 標配 | |
物鏡光闌 | 內置自清潔功能 | |
電子槍 | 內置加熱器 | |
真空系統 | ||
離子泵 | 3臺 | |
分子泵 | 1臺 | |
機械泵 | 1臺 |